На один год позже компании Samsung второй в мире по величине производитель памяти типа DRAM компания SK Hynix сообщила о завершении разработки микросхем DDR4 для производства с использованием второго поколения техпроцесса класса 10 нм. Как и её конкуренты, компания SK Hynix не приводит точную цифру технологических норм, с помощью которых она предполагает выпускать новую память. Техпроцесс скрывается под кодовым именем «1Ynm» и может быть как 18-нм, так и 17-нм, и 16-нм.
Для нас главное не «шашечки», а «ехать». Переход от техпроцесса класса 10 нм первого поколения ко второму обеспечивает возросший на 20 % выход продукции — кристаллов DRAM DDR4. Проще говоря, себестоимость производства DDR4 ещё немного снизится, а модули памяти могут стать немного дешевле. Не на 20 %, но на единицы процентов — это вполне реальный сценарий. Но произойдёт это уже в новом году. Массовые поставки чипов DRAM с использованием второго поколения 10-нм техпроцесса компания начнёт в первом квартале календарного 2019 года.
Первыми в производство попадут 8-Гбит чипы DDR4-3200. По словам производителя, это самая быстрая в настоящий момент память. Потребление памяти, тем не менее, за счёт уменьшения масштаба технологических норм последовательно снижено более чем на 15 %. Первыми новую память получат производители модулей памяти для серверов и персональных компьютеров. Впоследствии второе поколение производства 10-нм класса осчастливит другие области применения памяти, в частности — область мобильных устройств.
Уменьшение масштаба технологических норм заставило разработчика внести ощутимые изменения как в схемотехнику цепей питания и управления памятью, так и в структуру «помельчавших» транзисторов. Это неудивительно, каналы транзисторов становятся меньше, что снижает токовые характеристики этих полупроводниковых приборов.
Для снижения вероятности появления ошибок чтения и для поддержки стабильной работы памяти инженеры SK Hynix предложили 4-фазную схему тактового генератора и разработали новые и более чувствительные усилители для сигнальных цепей памяти. Собственно, эти улучшения позволили поднять скорость по одному контакту до 3200 Мбит/с с одновременным снижением потребления до 15 % и более.
