Стеки памяти HBM пользуются спросом в ускорителях высокопроизводительных вычислений, ориентированных на искусственный интеллект, где они предлагают огромную пропускную способность, но взамен требуют сложного производства и сложной упаковки, а также отличаются перегревом и высокой стоимостью. Это понимают все, поэтому пытаются разработать свой аналог с аналогичными, схожими или даже лучшими характеристиками.
На этот раз мы можем взглянуть на разработку Intel, которая запатентовала память XBM, или Cross-Batch Memory. Её суть заключается в наложении нескольких слоёв DRAM друг на друга, как и в случае HBM, но она перейдёт на блок ввода-вывода с соединением Universal Chiplet Interconnect Express (UCIe) со скоростью 32 GT/s, благодаря чему обеспечит нативную интеграцию для чиплетов и упростит упаковку, снижая производственные затраты.
Базовый кристалл, к слову, может и вовсе отсутствовать в зависимости от варианта изготовления памяти. Вместо него, как утверждается, логика будет распределена по всему стеку. Также большими плюсами XBM можно назвать совместимость с различными вариантами упаковки, в том числе Memory-on-Package, и изготовление транзисторов в металлических слоях на заключительном этапе производства, что повышает эффективность использования площади и плотность размещения сквозных кремниевых отверстий, необходимых для общего повышения производительности.
Если подытожить все ключевые факторы Intel XBM, то она должна быть аналогичной по размерам HBM4 или даже превосходить её в этом плане, а заодно предложить большую пропускную способность и ёмкость. Получается, она должна быть лучше HBM во всём. Запуск новой памяти ожидается после 2030 года.
