Работяги Intel занимаются разработкой технологической нормы производства полупроводников 1.4A, она же 1.4 нанометра или 14 ангстрем, которая должна составить конкуренцию 1.4-нм нормам TSMC и Samsung в ближайшем будущем. Но для того, чтобы точно обойти конкурентов, она предложит партнёрам второе поколение этой нормы с существенными изменениями.
По слухам, исходящим от ETNews, компания якобы работает над нормой производства 1.4A2, дополненной архитектурой Dual Side, или подачей питания на транзисторы с двух сторон одновременно. Это необходимо из-за того, что шаг металлического соединения M0, то есть расстояние между центрами двух металлических линий, отвечающих за передачу сигналов между транзисторами, в оригинальной версии 1.4A составит 28 нанометров, а в случае второго поколения он будет существенно уменьшен до 21 нанометра.
Уменьшение размеров негативно скажется на падении напряжения в нано-сквозных кремниевых переходных отверстиях, отвечающих за подачу питания с обратной стороны, из-за повышения сопротивления, так как они попросту не рассчитаны на столь высокую плотность. Решить эту проблему инженеры Intel хотят за счёт подачи питания сразу с двух сторон, но основой всё равно останется технология PowerVia, а лицевое питание станет лишь дополнением.
