Для магниторезистивной памяти MRAM самым больным местом остаётся низкая плотность записи. Ячейки для хранения данных у MRAM довольно большие, а разработанная технология производства не позволяет сделать их меньше. И всё же прогресс на месте не стоит. Ведущий и едва ли не единственный поставщик коммерческих микросхем STT-MRAM компания Everspin сообщила о полностью успешном запуске пилотной линии по выпуску чипов STT-MRAM с вчетверо большей ёмкостью, чем до этого.
До сих пор Everspin массово выпускала 256-Гбит чипы с нормами 40 нм (на американском заводе NXP и на линиях GlobalFoundries). Новой продукцией стали 28-нм микросхемы STT-MRAM ёмкостью 1 Гбит. Пробные запуски новой пилотной линии, вероятно, на заводе GlobalFoundries, начались в конце прошлого года, а к массовому производству линии перейдут уже в третьем квартале.
Память STT-MRAM позволит выпускать SSD и кеширующие блоки для накопителей и интерфейсов с меньшими задержками и со значительно возросшей устойчивостью к износу. С учётом того, что производители умудрялись выпускать твердотельные накопители даже на 256-Гбит памяти, наверняка можно рассчитывать увидеть больше моделей SSD на 1-Гбит чипах STT-MRAM Everspin.
Для удобства перехода с NAND и DRAM (буферов) на память STT-MRAM микросхемы с магниторезистивной памятью вооружаются привычным 8-бит и 16-бит интерфейсом DDR4, совместимым со стандартом ST-DDR4 и в упаковке BGA. В компании Everspin сообщают об успешном прохождении квалификационных тестов новой памяти у клиентов и горды низким уровнем брака при производстве. Можно также рассчитывать, что в августе на саммите по теме флеш-памяти компания Everspin укажет следующую веху на пути развития памяти STT-MRAM. Будет интересно.
