Компания Samsung приступила к массовому производству первых в мире модулей оперативной памяти LPDDR3 объёмом 3 Гбайт, которые предназначаются для использования в составе будущих смартфонов высокого класса. Модуль представляет собой сборку из двух параллельных структур с раздельным доступом, состоящих из трёх кристаллов DRAM плотностью 4 Гбит, которые изготавливаются по технологии 20-нм класса. Толщина каждого кристалла не превышает 0.8 миллиметра.
Заявленная для модуля скорость передачи данных составляет 2133 Мбит/с в расчёте на один контакт. Samsung реализовала возможность симметричного доступа к каждой отдельной части по 1.5 Гбайт, в противном случае, как отмечают составители пресс-релиза, в некоторых задачах наблюдалось бы резкое падение производительности памяти. В настоящий момент Samsung занимается производством модулей мобильной памяти объёмом 1, 2 и 3 Гбайт. (Samsung/NovostIT)
