Южная Корея: Samsung приступила к массовому выпуску 18-нм DRAM памяти

0

Англоязычный портал южнокорейского издания ETNews сообщает, что компания Samsung Electronics перепрыгнула “непреодолимый технологический барьер” и приступила к массовому производству кристаллов DRAM класса 10 нм. Другие производители всё ещё топчутся перед этим пресловутым барьером и продолжают осваивать производство памяти класса 20 нм.

Следует отметить, что всё произошло именно так, как ETNews предсказывал в декабре прошлого года. Смеем предположить, что в данном случае имеет место событие типа без меня меня женили, которыми страдают все без исключения СМИ. Компания Samsung всегда вовремя и добросовестно сообщает о начале массового производства по новым технологическим нормам. Поэтому, как только она начнёт выпускать 18-нм DRAM-память, а речь идёт о производстве 18-нм чипов, по этому поводу сразу же будет опубликован официальный пресс-релиз. Если источник компетентный, то в апреле Samsung официально об этом сообщит.

Впрочем, похоже, что источник владеет нужной информацией. Сообщается, например, что для выпуска критически важных слоёв 18-нм DRAM требуется уже не два фотошаблона, как для производства класса 20 нм, а три и даже четыре. Очевидным образом это не даст себестоимости производства чипов памяти снизиться настолько сильно, как раньше. И всё же, снижение технологических норм производства увеличит выход кристаллов с каждой пластины. Это даст возможность компании Samsung маневрировать ценой на память и получать прибыль даже в условиях снижения рыночных цен на DRAM, что мы сегодня наблюдаем.

По слухам, компания SK Hynix начнёт опытное производство 18-нм DRAM в конце текущего года, а компания Micron, которая последние кварталы теряет выручку и прибыль, так и вовсе может отставать от Samsung на целых два года (по словам ETNews). Тем не менее, на первых порах производство 18-нм памяти DRAM будет достаточно дорогим занятием. Так что Samsung намеревается продвигать новые микросхемы в сегменты с высокой отдачей – это рынок серверных модулей памяти и памяти для ноутбуков. Во втором квартале Samsung намерена расширить выпуск 18-нм продукции, для чего будет закуплено дополнительное производственное оборудование. После этого, надо понимать, 18-нм память проникнет в настольный сегмент.

В заключение сообщим, что переход к нормам производства класса 10 нм сопровождается всевозрастающими технологическими трудностями. Для поддержания нужной ёмкости конденсаторов (ячеек) требуется значительно удлинять каналы в проводниках, что чревато дефектами и возросшим уровнем брака. Кроме этого сближение конденсаторов ведёт к появлению туннельного эффекта, когда электроны из одной ячейки переходят в другую. Для предотвращения потерь данных Samsung придумала новое расположение ячеек (в виде сот) и изобрела новые изолирующие материалы. Сотовая структура ячеек была реализована уже в производстве памяти класса 20 нм и использована для выпуска 18-нм DRAM памяти. Пока всё у неё получается, с чем компанию и поздравляем. (Samsung/NovostIT)