Накануне компания Samsung объявила о начале массового производства микросхем флэш-памяти типа TLC (три бита на ячейку) с трёхмерной компоновкой, которые предназначены для использования в твердотельных накопителях и других запоминающих устройствах. Первое поколение V-NAND (Vertical NAND) – так Samsung называет эту разновидность памяти – было представлено в августе 2013 г., сейчас же речь идёт уже о втором поколении технологии.
В новом поколении V-NAND количество слоёв в микросхеме увеличилось с 24 до 32 штук. Для их связи применяются вертикальные сквозные соединения, а общая плотность такой микросхемы достигает 128 Гбит. Samsung отмечает, что трёхмерная компоновка позволяет более чем вдвое увеличить эффективность производства памяти по сравнению с планарными микросхемами TLC NAND 10-нм класса. Кстати говоря, новая память должна найти применение в твердотельных накопителях Samsung серии 850 EVO. Надо полагать, официальный анонс последних состоится в ближайшие пару месяцев. (Samsung/NovostIT)
