Южная Корея: Samsung начала массовое производство 4 ГБ микросхем HBM2

1

Samsung Electronics готова составить конкуренцию SK Hynix на рынке памяти типа HBM. Сегодня южнокорейская компания объявила о начале массового выпуска многослойных микросхем ОЗУ HBM2 объемом 4 ГБ. Они будут применяться в HPC и корпоративных серверах, “продвинутых” видеоадаптерах (включая профессиональные) и сетевом оборудовании. Возможности памяти типа High Bandwidth гораздо шире, чем у GDDR5 и DDR3/DDR4, что позволяет создавать на ее основе устройства с впечатляющей производительностью.

4 ГБ микросхемы Samsung HBM2 выпускаются по 20-нм техпроцессу компании. Каждый чип состоит из четырех 8-гигабитных слоев, соединенных по технологии TSV (through-silicon via). Один слой содержит свыше пяти тысяч миниатюрных TSV-отверстий, через которые проходят каналы передачи данных.

Микросхема Samsung HBM2 объемом 4 ГБ обеспечивает пропускную способность (ПСП) на уровне 256 ГБ/с – вдвое большую, нежели у HBM1. Соответственно, четыре таких микросхемы общим объемом 16 ГБ имеют ПСП в 1 ТБ/с. В материале для прессы также подчеркивается экономичность памяти HBM2 и поддержка алгоритма контроля ошибок (ECC). Отмечается, что уже в этом году Samsung Electronics начнет выпуск микросхем HBM2 вдвое большего объема – 8 ГБ. (Samsung/NovostIT)