Организация HMC (Hybrid Memory Cube Consortium) анонсировала доступность финальной версии спецификации памяти Hybrid Memory Cube. В состав консорциума входят около 100 технологических компаний, в том числе Micron и Samsung. Этот тип памяти предусматривает размещение нескольких слоев энергозависимой памяти поверх DRAM контроллера. При этом, соединение памяти и контроллера осуществляется на базе технологии VIA (Vertical Interconnect Access). Этот метод подразумевает размещение электрических соединений вертикально внутри кремниевой подложки. Такая компоновка обладает определенными преимуществами по сравнению с традиционным подходом формирования подсистемы памяти. Например, она обеспечивает прирост скоростных показателей работы памяти и снижение уровня энергопотребления.
Первая версия спецификации памяти Hybrid Memory Cube предусматривает использование модулей емкостью 2 и 4 ГБ. При этом, скорость передачи данных в обоих направлениях заявлена на уровне 160 ГБ/с. Для сравнения, современные модули оперативной памяти стандарта DDR3 обеспечивают скорость передачи данных 11 ГБ/с, а память стандарта DDR4 – от 18 ГБ/с до 20 ГБ/с. Таким образом, память Hybrid Memory Cube обеспечивает, приблизительно, 15-кратный прирост производительности по сравнению с распространенными в настоящее время решениями. Дополнительно отмечается, что новая память позволяет снизить уровень энергопотребления на 70% по сравнению с современными модулями оперативной памяти. Это достигается благодаря отказу от использования многих длинных соединений отдельных чипов памяти. В настоящее время отдельные чипы соединяются благодаря сложной разводке на печатной плате. В памяти Hybrid Memory Cube для этого используются вертикальные соединения внутри самих чипов.
В спецификации Hybrid Memory Cube определено два физических интерфейса взаимодействия памяти с системным процессором: короткой дистанции и ультра-короткой дистанции. Интерфейс короткой дистанции схож с современными технологиями расположения модулей памяти на материнской плате. Он подразумевает размещение памяти на удалении 8-10 дюймов (203,2-254,0 мм) от процессора. При этом скорость передачи данных для каждого контакта предусмотрена в диапазоне от 15 Гб/с до 28 Гб/с. Данный интерфейс ориентирован на применение в производительных сетевых решениях и позволяет добиться высокой пропускной способности подсистемы памяти. Интерфейс ультра-короткой дистанции является энергоэффективным решением. В данном случае расстояние от процессора до памяти может составлять от 1 дюйма (25,4 мм) до 3 дюймов (76,2 мм), а целевая скорость передачи данных для каждого контакта составляет 15 Гб/с. Этот интерфейс будет востребован в тех решениях, где приоритетными являются низкое энергопотребление и компактные размеры конечных устройств. Выпуск памяти Hybrid Memory Cube с интерфейсом короткой дистанции запланирован на вторую половину этого года, а памяти с интерфейсом ультра-короткой дистанции – на 2014 г. (HMC/NovostIT)
