США: Новая информация об устройстве процессоров Haswell

0

Как это ни странно, после официального анонса процессоров Haswell компания Intel не стала делать откровения по поводу конструктивных особенностей этих решений вроде размеров кристалла, числа транзисторов или характеристик интерфейса, объединяющего CPU с дополнительной памятью eDRAM (Crystalwell). Огласке была предана информация только о числе транзисторов и площади кристалла варианта Haswell ULT GT3 (два вычислительных ядра, встроенный PCH и графика GT3) и Haswell GT2 (четыре ядра, графика GT2).

Также появилась новая информация об устройстве памяти eDRAM. Её объём, как известно, составляет 128 Мбайт, это пространство разделяется на “макросы” по 16 Мбайт каждый. Частота микросхемы eDRAM составляет 1.6 ГГц, связь с внешним миром осуществляется посредством четырёх 16-разрядных каналов (интерфейс называется OPIO – on-package IO), благодаря чему возможно выполнение 6.4 миллиарда транзакций в секунду. OPIO отличается высокой степенью масштабируемости и энергетической эффективности: с PCH, например, обмен данными возможен на скорости 4 Гбайт/с при энергозатратах 1 пикоджоуль на бит; в случае с Crystalwell скорость возрастает до 102 Гбайт/с, а энергозатраты – всего до 1.22 пикоджоуля на бит (приблизительно 1.07 ватта потребляемой мощности). (Intel/NovostIT)