Как известно, у кремния, который сейчас повсеместно используется в различного рода полупроводниковой электронике, есть существенные недостатки, в частности ограничения по частоте и стремление электронов не внутрь цепи, а к её краям (запрещенная зона). Ученые Техасского инженерного университета Cockrell предложили альтернативу традиционному кремнию и нестабильному графену – силицен.
Силицен – производный элемент от углерода и разделяет многие из его физико-химических свойств. При этом подвижность электронов в его структуре намного выше. Более того, с силиценом гораздо проще устранить запрещенную зону, которая в данный момент имеет решающее значение для полупроводниковых технологий. Ученым удалось создать транзистор из нового материала высотой всего один атом.
Не обошлось и без ложки дегтя. Получение силицена – крайне дорогой процесс, и при его взаимодействии с кислородом первый окисляется за пару минут. Соответственно, использование этого материала возможно только при условии герметизации, поэтому не стоит ждать в ближайшем будущем появления продуктов на его основе. (Новости/NovostIT)