Техпроцесс производства полупроводников с использованием подложек с дополнительным тонким слоем полностью обеднённого кремния – FD-SOI – обещает оказаться разумной по цене альтернативой производству с использованием FinFET транзисторов с нормами 14 и 16 нм. Планы выпускать 28-нм и 22-нм чипы с использованием пластин FD-SOI есть уже как у компании Samsung, так и у компании GlobalFoundries. Китайские производители и разработчики чипов, как оказалось, тоже не прочь воспользоваться пластинами FD-SOI.
Дополнительный тонкий слой изолятора из полностью обеднённого кремния позволит транзисторам работать с меньшим напряжением и с меньшими утечками. Пластины FD-SOI не смогут похвастаться высокой плотностью или высокими частотами для транзисторов, что может предложить техпроцесс на монолитных пластинах с использованием вертикальных структур FinFET, но они обещают меньшую себестоимость решений с частичным качественным ростом рабочих характеристик.
В Китае, как отмечает сайт DigiTimes, производством с использованием пластин FD-SOI серьёзно занялся такой производитель, как HH Grace Semiconductor. Также к соответствующим техпроцессам присматриваются бесфабричные разработчики чипов, у которых нет денег и объёмов для заказа производства с использованием FinFET транзисторов и самых передовых технологических норм. В то же время следует отметить, что отсутствие должных объёмов при заказе производства на пластинах FD-SOI не будет способствовать снижению цен на такие работы. Очевидно, что сторонникам FD-SOI необходимо активно продвигать новшество для набора критической массы. И тогда будет им счастье. (DigiTimes/NovostIT)
