Samsung Electronics сообщила о начале массового производства чипов памяти, созданных на базе “слоеной” технологии и предусматривающих многоуровневое размещение ячеек памяти на одной физической микросхеме. На базе подобных чипов в ближайшем будущем планируется создать новое поколение NAND-памяти с повышенной емкостью и производительностью.
В Samsung говорят, что нынешние “плоские” чипы памяти компания продолжит маркировать как NAND, тогда как новинки будут называться 3D-NAND или V-NAND (Vertical NAND). Ожидается, что в первую очередь новые чипы будут применяться в SSD-накопителях и встраиваемой памяти. Выпускаться они будут в емкости от 128 Гб до 1 Тб, в зависимости от конкретных устройств.
Сегодняшние 2D-чипы NAND-памяти выпускаются с технологической нормой 10-19 нм, тогда как 3D-NAND пока выпускаются по 25-нм норме, но за счет слоеного размещения ячеек, эти чипы могут размещать в 2-3 раза больше данных, чем “плоские” чипы. Более того, 3D-NAND имеет вдвое более длительный запас работы на отказ, а также в 10 раз более высокую скорость чтения данных.
В компании говорят, что технология Samsung 3D NAND позволяет добиться как уменьшения физического размера чипа, так и повысить его производительность. В заявлении Samsung сказано, что 3D NAND найдут применение в очень широком спектре электроники как потребительского, так и корпоративного уровня, например SSD-накопителях корпоративного уровня. В основе новых чипов памяти лежит технология 3D Charge Trap Flash (CTF), а также процесс создания вертикальных интерконнектов, позволяющих добиться трехмерной структуры микрочипа.
Согласно оценкам компании, новые чипы могут размещать на одном заданном диаметре до 24 “этажей” ячеек памяти. В будущем компания планирует увеличить этот показатель до 32, затем до 64 и так далее. Нынешние 25-нм трехмерные модули примерно вдвое компактнее передовых 20-нанометровых модулей.
В Samsung говорят, что система трехмерности позволяет не опускаться до очень небольших транзисторов молекулярного уровня, с которыми трудно работать, а с другой стороны она позволяет держать физическую площадь микрочипа на заданном уровне, что также важно. Конечно, 3D-чипы тоже имеют физические лимиты, но они вряд ли будут достигнуты в ближайшие 10 лет. Сам по себе дизайн литографии трехмерных чипов похож на дизайн чипов с нормой 50- или 40-нм, но здесь используются тонкие высокие изоляторы для создания многоэтажных чипов. В Samsung говорят, что работали над новыми чипами около 10 лет. (Samsung/NovostIT)
