Samsung Electronics анонсировала начало производства наиболее технически продвинутой на сегодня памяти формата DDR3, базирующейся на 20-нанометровом процессе и пригодной для широкого отраслевого использования. Компания показала 20-нанометровые чипы DDR3 DRAM на 4 гигабайта. Создаются новинки при помощи фирменного процесса производства ArF.
В новых DRAM-чипах каждая ячейка памяти состоит из соединенных друг с другом конденсатора и транзистора. Технически это более сложная организация чипа памяти. К примеру, NAND использует только транзисторы в ячейках, однако она позволяет создавать более скоростную и более масштабируемую память, обладающую двухслойным размещением ячеек.
В Samsung рассказали, что двухслойная технология – это еще один Рубикон в производстве микрочипов, который позволяет использовать существующие процессы литографии, использовать новые архитектурные продукты для удвоения емкости. В Samsung говорят, что намерены использовать двухслойную технологию в чипах вплоть до 10-нанометровой продукции. В заявлении компании сказано, что новые чипы обладают на 30% более высокой производительностью в сравнении с прежними моделями DDR3 на базе 25-нанометрового процесса. Кроме того, в новинках было примерно на четверть снижено энергопотребление, что позволяет экономить на общем энергопотреблении вычислительного оборудования. (Samsung/NovostIT)
