Компания Samsung объявила о начале массового производства микросхем памяти LPDDR3 плотностью 6 Гбит по передовой 20-нм технологии. Микросхемы характеризуются скоростью передачи 2133 Мбит/с на один вывод, что значительно превосходит возможности памяти стандарта LPDDR2, и могут компоноваться по четыре штуки в модули совокупным объёмом 3 Гбайт.
Как поясняет компания в пресс-релизе, модули ОЗУ на основе новых микросхем памяти на 20% меньше в размерах и потребляют на 10% меньше электроэнергии по сравнению с аналогичными решениями, выпущенными по более “широким” технологическим нормам. Samsung уверена, что использование новой памяти в мобильных устройствах позволит увеличить продолжительность их автономной работы. Samsung начала использовать 20-нм технологию для выпуска микросхем памяти DDR3 плотностью 4 Гбит в марте. В будущем южнокорейский гигант намерен расширить ассортимент выпускаемых по данной технологии микросхем мобильной памяти. (Samsung/NovostIT)
