Южная Корея: Samsung начала производство микросхем DDR4 плотностью 4 Гбит по 20-нм технологии

0

Компания Samsung объявила о начале массового производства микросхем оперативной памяти типа DDR4 плотностью 8 Гбит с применением 20-нм технологических норм. Эти микросхемы будут использоваться в модулях регистровой памяти, объём которых будет начинаться от 32 Гбайт.

Скорость передачи данных на вывод микросхемы достигает 2400 мегабит в секунду, что, как подмечают составители пресс-релиза, на 29% выше, чем у памяти стандарта DDR3. Эти микросхемы также могут объединяться при помощи сквозных межслойных соединений, что в перспективе позволяет получать модули ОЗУ объёмом 128 Гбайт. Ранее Samsung освоила выпуск других видов оперативной памяти по 20-нм технологии. В частности, компания выпускает 4-гигабитные микросхемы DDR3 и 6-гигабитные микросхемы LPDDR3, предназначенные для использования в мобильных устройствах. (Samsung/NovostIT)