Компания Toshiba объявила о создании первой в мире технологии, предназначенной для производства микросхем памяти типа MLC NAND с топологическими нормами 15 нм и плотностью 128 гигабит. Массовое производство по новой технологии начнётся в следующем месяце на заводе Fab 5, расположенном в Йоккаичи, где в настоящее время используется 19-нм технология второго поколения. Кроме того, на Fab 5 ведётся строительство второй линии, где впоследствии также будет применяться 15-нм процесс.
Отмечается, что Toshiba удалось получить кристаллы памяти с наименьшей площадью в классе благодаря 15-нм технологии. Кроме того, улучшения в схемотехнологии периферийных элементов микросхемы позволили увеличить скорость передачи данных в 1.3 раза по сравнению с 19-нм изделиями, до 533 Мбит/с. Скорость записи данных при этом осталась неизменной.
Toshiba работает над адаптацией 15-нм технологического процесса для выпуска микросхем типа TLC NAND, к массовому производству компания сможет приступить в июне. Попутно Toshiba собирается представить контроллеры для встраиваемой твердотельной памяти NAND, ориентированные на различные электронные устройства вроде смартфонов и планшетов, а также решения для обычных SSD. (Toshiba/NovostIT)
