Японская Fujitsu Lab сообщила, что ей удалось смоделировать на суперкомпьютере полный набор электрических свойств нано-устройства из 3000 атомов. Ранее в столь “крупном” масштабе подобные работы никогда не проводились.
Как пояснили в компании, на наноскопическом уровне даже незначительные изменения локальной конфигурации атомов могут оказывать существенное влияние на электрические свойства устройства, что требует от разработчиков наноустройств полного моделирования устройства на теоретическом уровне, просчет всех его физических свойств и уже затем практическая реализация. Однако для моделирования всех физических, а в случае с наноустройствами электромагнитных, свойств это очень ресурсоемкая задача. Ранее самыми масштабными расчетами подобного уровня были симуляции устройства из 1000 атомов.
В Fujitsu говорят о разработке новой методики вычислений которая снижает требования к памяти и сохраняет точность моделирования. Инженеры говорят, что ранее подобные расчеты проводились за счет массивного параллельного процессинга, тогда как сейчас была разработан новый алгоритм, позволяющий просчитывать электрические устройства не только индивидуального устройства, но и его взаимодействия с другими компонентами.
На практике все это должно привести к появлению более точных и менее дорогих нано-разработок. В Fujitsu говорят, что ведут соответствующие разработки вместе с японским институтом JAIST (Japan Advanced Institute of Science and Technology). В будущем Fujitsu намерена создать технику расчета моделирования устройств размером до 10000 атомов. (Fujitsu/NovostIT)