Как сообщают тайваньские источники в лице интернет-ресурса DigiTimes, все ведущие производители флеш-памяти столкнулись с проблемами при переходе на выпуск многослойной памяти с записью четырёх бит в ячейку (QLC). Ранее в этом году компании Samsung, Intel/Micron и Toshiba/WD объявили о завершении разработки памяти 3D NAND QLC и начали опытный или даже серийный выпуск новинок. Среди них память 3D NAND QLC не готова выпускать только компания SK Hynix. Последняя, напомним, в виде образцов начнёт поставлять многослойную QLC 3D NAND только через год.
Переход на производство памяти с записью четырёх бит в каждую ячейку — это логичный шаг по направлению к снижению стоимости хранения данных на носителях из твердотельной памяти. Переход на 3D NAND QLC должен быть массовым и повсеместным. К сожалению, если верить тайваньским источникам, уровень брака при выпуске 3D NAND QLC превышает 50 %, что не может привести к какому-либо удешевлению стоимости хранения. Более того, сообщается о значительных поступлениях в каналы продаж некондиционных чипов памяти. Вероятно, речь идёт о направлении в каналы продаж микросхем памяти с частично неработающими банками и этой продукцией якобы завалены склады.
По данным DigiTimes, нечто подобное, но в меньшем масштабе происходит с производством 3D NAND TLC. Многослойная память с записью трёх бит в ячейку массово выпускается второй год подряд и уровень выхода годных чипов 3D NAND TLC достаточно высок. В пересчёте на биты память 3D NAND сегодня удерживает свыше 60 % в потоке производства всей новой памяти NAND-флеш. Тем не менее, дальнейшее повышение уровня выхода годных микросхем 3D NAND TLC также может представлять для производителей трудно решаемую проблему. Как итог, рынок 3D NAND в первом полугодии 2019 года может быть подвержен кризису недопоставок, что приведёт к росту цен на флеш-память и продукцию на её основе.
