Производитель чипов памяти Micron Technology заявил о начале поставок инженерных образцов нового типа продукта – 3D Hybrid Memory Cube (HMC) для высокопроизводительных компьютеров и сетевых устройств. Как пояснили в Micron, новинка меняет базовую структуру DRAM-чипов за счет размещения нескольких слоев энергозависимой памяти друг над другом. Каждый слой тут объединен с другим при помощи технологии ввода/вывода Vertical Interconnect Access. Каждый слой памяти может иметь емкость до 2 Гб.
Как пояснили в компании, технология Vertical Interconnect Access позволяет проводить электрические соединения через кремниевые подложки. Первые образцы HMC будут иметь емкость в 2 и 4 Гб, но обеспечивать двунаправленную полосу пропускания в 160 Гбит/сек, что значительно выше, чем у DDR3, стандартном которого предусмотрены 11 Гб/сек и 20-24 Гб/сек у DDR4. “На протяжении некоторого времени память и интегральные чипы хорошо наращивали производительность, соответствуя Закону Мура. Но с тем, как процессоры наращивали мощность, остальные компоненты начали запаздывать и сейчас процессоры и остальные компоненты компьютера отстают друг от друга примерно на поколение”, – говорит Майк Блэк, директор по технологиям Micron Hybrid Memory Cube.
Пропускная способность HMC зависит от того, как много связей с чипом будет установлено конкретным производителем устройства. На один слой памяти можно установить до 4 соединений, что позволяет многоядерному процессору работать с разными блоками памяти одновременно. Каждое соединение может работать на разных скоростях, в зависимости от того, как конкретный производитель сконфигурирует чип памяти. На сегодня доступны скорости в 10 Гбит/сек, 12,5 Гбит/сек или 15 Гбит/сек. При этом, HMC-чипы потребляют почти на 70% меньше электроэнергии в сравнении с DRAM-чипами. В Micron заявили, что на сегодня спецификации HMC уже разосланы примерно сотне компаний из технологического сектора, в том числе конкурирующим Samsung, Hynix. Последние, впрочем, анонсировали собственные 3D-чипы памяти. (Micron/NovostIT)
