США: Intel инвестирует в производство энергонезависимой памяти

7

Уменьшение прибыли вследствие постоянного сокращения рынка ПК мотивировало руководство корпорации Intel вложить средства в существующий завод по производству энергонезависимой памяти. Фабрика находится в китайском портовом городе Далянь и на сегодняшний день технологически сильно отстает от передовых производств, несмотря на то что год ее основания не такой уж далекий – 2010-й. Поставить ее вровень с другими заводами и даже опередить их помогут выделенные Intel $3,5 млрд.

Ближайшей задачей переоборудованного завода станет выпуск 3D NAND флеш-памяти, которая быстрыми темпами вытесняет однослойную. Годом начала производства значится 2016-й. В перспективе специалисты производства в Даляне будут работать над внедрением технологии 3D XPoint, анонсированной в июле этого года. Ее ключевое преимущество над 3D NAND – скорость.

Данная инициатива Intel расширит присутствие корпорации на рынке энергонезависимой памяти (в дополнение к совместному с Micron бизнесу). Первый клиент уже известен – это, собственно, Micron Technology, поставляющая SSD-накопители как под брендом Crucial, так и под собственным. Кстати, сделка по продаже активов Micron китайскому инвестиционному холдингу Tsinghua Unigroup Ltd., судя по всему, не состоится из-за запрета со стороны американских государственных институтов и компаний. (Intel/NovostIT)