Придворные аналитики DigiTimes уже отмечали, что Samsung Electronics вряд ли освоит массовый выпуск 3-нм изделий ранее 2023 года, а сегодня это тайваньское издание вновь возвращается к теме, упоминая про технические сложности, возникшие на пути южнокорейского гиганта.
анонсы и RTX 3060 Gigabyte Aorus – топ цена, лучше нет Слив 9700K за копейки со скидкой 19% RX 6600 MSI Gaming дешевле чем ты думаешь RX 6600 Gigabyte Gaming – цены пошли вниз 8 видов 3070 и 3070 Ti в Ситилинке – смотри цены Ноутбук на IPS дешевле 10 000р в Ситилинке В полтора раза подешевел 4Tb Barracuda в Регарде 3070 и 3070 Ti почти даром в XPERT.RU 12Tb Toshiba: Регард скинул цену в полтора раза 3080 Ti 20Gb в XPERT.RU недорого
Высокие токи утечки стали только одной из нескольких проблем, мешающим Samsung своевременно и с заданными техническими параметрами освоить 3-нм технологию производства полупроводниковых компонентов. В результате, как отмечает первоисточник, 3-нм изделия Samsung могут оказаться менее конкурентоспособными по сравнению с продукцией TSMC или Intel. Возможно, Samsung в этом случае станет жертвой собственных амбиций, ведь она первой в отрасли намеревалась перейти на использование структуры транзисторов с окружающим затвором (GAA), тогда как TSMC при освоении 3-нм технологии предпочла сделать ставку на хорошо знакомую компоновку FinFET.
Подпишитесь на наш канал в Яндекс.Дзен или telegram-канал @overclockers_news – это удобные способы следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
