Домой Новости AMD научилась выжимать из DDR5 максимум — представлена технология разгона EXPO ULL

AMD научилась выжимать из DDR5 максимум — представлена технология разгона EXPO ULL

0

Компания AMD готовит новое расширение для своих профилей разгона оперативной памяти EXPO под названием EXPO Ultra Low Latency или EXPO ULL. Новый режим предназначен для комплектов памяти DDR5 для платформ Ryzen. Дебют функции ожидается с выпуском новых модулей памяти в июне.

AMD научилась выжимать из DDR5 максимум — представлена технология разгона EXPO ULL


Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

AMD научилась выжимать из DDR5 максимум — представлена технология разгона EXPO ULL

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

AMD научилась выжимать из DDR5 максимум — представлена технология разгона EXPO ULL

Линия защиты: обзор виртуальных машин и песочниц для Android

AMD научилась выжимать из DDR5 максимум — представлена технология разгона EXPO ULL

От Ryzen 7 1800X до Ryzen 7 9850X3D: девять лет эволюции AMD в одном тесте

AMD научилась выжимать из DDR5 максимум — представлена технология разгона EXPO ULL

Обзор Apple MacBook Neo: удивительно хороший ноутбук с процессором от iPhone

AMD научилась выжимать из DDR5 максимум — представлена технология разгона EXPO ULL

Компьютер месяца — май 2026 года

AMD научилась выжимать из DDR5 максимум — представлена технология разгона EXPO ULL

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

AMD научилась выжимать из DDR5 максимум — представлена технология разгона EXPO ULL

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

AMD научилась выжимать из DDR5 максимум — представлена технология разгона EXPO ULL

Источник изображений: AMD

Режим EXPO ULL станет частью обновления EXPO 1.2. Функция добавляет режим памяти с низкой задержкой, автоматическим разгоном памяти и более точной настройкой для поддерживаемых комплектов ОЗУ DDR5. AMD утверждает, что EXPO ULL может улучшить как средний показатель кадров в секунду, так и его минимальное значение (1 % low) в играх.

AMD научилась выжимать из DDR5 максимум — представлена технология разгона EXPO ULL

Согласно внутренним тестам компании, EXPO ULL обеспечивает до 13 % более высокий средний FPS по сравнению с памятью стандарта JEDEC DDR5 и до 4 % более высокий средний FPS по сравнению с текущими профилями разгона EXPO. Что касается минимального значения FPS, то EXPO ULL обещает прирост до 15 % по сравнению со стандартными профилями JEDEC и до 4 % по сравнению с текущими профилями памяти EXPO. Компания заявляет, что эти данные основаны на тестировании более чем в 30 играх на системе с Ryzen 7 9700X.

EXPO ULL также нацелен на снижение задержки памяти на 5–7 нс по сравнению с обычным комплектом DDR5-6000 за счёт настройки дополнительных параметров tREFI, tRRDS, tWR, ULL Enable и VDDP.

AMD перечислила несколько партнёров по производству памяти с поддержкой EXPO ULL. В их число входят G.Skill, Kingston Fury, Klevv, Lexar, TeamGroup, V-Color, XPG от Adata и Origin Code. Новые комплекты памяти от этих производителей ожидаются в июне, хотя полная поддержка функции EXPO ULL будет зависеть от производителей материнских плат и соответствующих версий BIOS. В последних релизах библиотек AGESA 1.3.0.1 и 1.3.0.1b уже добавлены дополнительные параметры настройки DDR5 для плат AM5.