Передовые микросхемы оперативной памяти DRAM полагаются на технологический процесс 10 нм и его подвиды, такие как 1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c и 1d. Их много и они отличаются друг от друга, но объединяет их общая норма производства. Но, похоже, совсем скоро Samsung может изменить это, начав создавать память по действительно новому техпроцессу.
Согласно статье THE ELEC, южнокорейский производитель памяти смог создать рабочий прототип DRAM на базе техпроцесса 10a, который является первым в ассортименте этой компании с толщиной менее 10 нм. В материале упоминается от 9.5 до 9.7 нм, что вроде и не сильно уж тоньше, однако это уже не 10 нм, а значит, Samsung смогла обойти конкурентов.
Вместе с применением новой нормы производства работяги компании прибегли к структуре квадратных ячеек 4F и Vertical Channel Transistor. Первая технология подразумевает создание более квадратной памяти с повышенной ёмкостью и сниженным энергопотреблением. Про вторую технологию, к сожалению, сведений практически нет. Упоминается лишь то, что это структура с вертикальным размещением ячеек памяти над периферийными схемами. Также новая память перейдёт на применение новых материалов, таких как аморфный оксид индия (In), галлия (Ga) и цинка (Zn).
