Южнокорейская компания Samsung Electronics, пожалуй, на данный момент является самым “продвинутым” производителем микросхем памяти. В 2014 г. Samsung первой наладила выпуск 20-нм чипов ОЗУ DDR3, а уже в этом году приступила к выпуску 10-нм чипов DDR4.
По сравнению с флеш-памятью, в которой одна ячейка состоит только из транзистора, в ячейке DRAM имеется и конденсатор, и транзистор, что вызывает дополнительные сложности. После длительного подготовительного периода инженерам Samsung удалось запустить производство на имеющемся оборудовании. Это позволит вывести готовые продукты на рынок уже в этом году.
Относительно 20-нм чипов памяти DDR4 скорость передачи данных выросла на 30% – с 2400 до 3200 Мбит/с. При этом уровень энергопотребления снизился на 10-20 процентов при одинаковой ёмкости. В ближайшее время Samsung Electronics планирует представить широкий спектр продуктов на базе новой памяти. В их число войдут модули ОЗУ DDR4 ёмкостью от 4 ГБ до 128 ГБ, а также различные мобильные устройства. (Samsung/NovostIT)
