Компания Samsung сообщила о начале массового производства флэш-чипов MLC (3-bit multi-level-cell) NAND емкостью 128 Гб. Причем, эти чипы изготавливаются с применением технологического процесса 10-нанометрового класса. Отмечается, что в новых устройствах реализована высокая скорость передачи данных на базе интерфейса toggle DDR 2.0. Она достигает значения 400 Мб/с. При этом новинки обеспечивают наиболее высокую в отрасли плотность хранения данных. Благодаря выпуску чипов памяти NAND емкостью 128 Гб Samsung намерена увеличить поставки карт памяти емкостью 128 ГБ. Кроме того, компания планирует увеличить объемы выпуска твердотельных накопителей емкостью более 500 ГБ. Также новые чипы будут востребованы в ряде электронных устройств. (Samsung/NovostIT)
