Toshiba объявила о выпуске новых встраиваемых модулей флэш-памяти на основе логики NAND, в которых интегральные схемы NAND интегрированы с использованием 19-нанометровой технологии второго поколения. Этот модуль полностью совместим с последним стандартом e*MMCTM и предназначен для применения в широком спектре цифровых потребительских продуктов, включая смартфоны, планшетные компьютеры и цифровые видеокамеры. Серийное производство начнется с конца ноября.
“Продолжает расти спрос на ИС флэш-памяти NAND высокой плотности с поддержкой видео высокого разрешения и усовершенствованным хранилищем. Это особенно актуально там, где требуется встроенная память с функцией контроллера, которая минимизирует требования к разработке и облегчает интеграцию памяти в продукцию. Корпорация Toshiba отвечает на потребности рынка, расширяя свою линейку модулей памяти высокой плотности”, говорится в заявлении компании.
В разработанный новый встраиваемый модуль памяти объемом 32 гигабайт интегрировано четыре созданных с использованием 19-нанометровой технологии Toshiba второго поколения интегральной схемы NAND объемом 64 Гбит (эквивалент 8 ГБ) каждая и выделенный контроллер. Все это размещено в корпусе размером всего 11,5 x 13 x 1,0 мм. Модуль совместим со стандартом JEDEC e*MMCTM версии 5.0, опубликованным Объединенным советом по разработке электронных устройств (JEDEC) в сентябре этого года, и обеспечивает высокую производительность чтения и записи благодаря применению нового стандарта высокоскоростного интерфейса HS400. Toshiba предложит NAND в виде линейки встраиваемых однокорпусных модулей флэш-памяти NAND объемом от 4 до 128 ГБ. Все они будут интегрированы с контроллером, управляющим базовыми функциями использования NAND. (Toshiba/NovostIT)
