Технологическая революция в производстве солнечных батарей (3 фото)

5

Технологическая революция в производстве солнечных батарей (3 фото)

Современная энергетика наносит непоправимый урон окружающей среде и ухудшает экологическую обстановку на планете, что и побуждает инженеров работать над созданием возобновляемых безопасных источников энергии. Наиболее перспективным способом получения «чистой энергии» является использование практически неограниченного запаса солнечного света.


Однако процесс создания солнечных батарей в настоящее время несовершенен и тормозит развитие перспективной отрасли энергетики. Ученые из Национальной лаборатории возобновляемой энергии (США) сообщили о наметившемся прорыве способном значительно сократить технологическое время необходимое на формирование основы солнечных панелей.

Технологическая революция в производстве солнечных батарей (3 фото)

На ранних стадиях развития солнечной энергетики для изготовления светодиодов и фотоприёмников солнечных батарей использовался метод паровой фазовой эпитаксии гидрида (HVPE). На смену этой методике в 1980 годах пришел более эффективный метод MOVPE. Теперь американские ученые утверждают, что добились положительного результата при разработке технологического процесса по методике D-HVPE.

По заверению разработчиков, использование новой технологии позволило внедрить алюминий в гидридный парофазный эпитаксиальный реактор (HVPE) и добиться роста полупроводников фосфида алюминия-индия (AlInP) и фосфида алюминия-галлия-индия (AlGaInP).

Технологическая революция в производстве солнечных батарей (3 фото)

Использование нового технологического процесса позволит в десятки раз снизить время необходимое на изготовление солнечных панелей. Если при традиционной MOVPE технологии для данного процесса требуется от 60 до 120 минут, то по новому D-HVPE техпроцессу создание солнечного элемента займет около минуты.

Следующим этапом разработки технологии D-HVPE, станет достижение энергоэффективности аналогичной панелям MOVPE. Важнейшим компонентом при этом станет использование более доступного и дешевого алюминия, заменяющего используемый сейчас арсенида галлия (GaAs) и фосфида индия-галлия (GaInP).

Источник