Тайвань: G.Skill начинает выпуск оперативной памяти Aegis

0

Производители компьютерных комплектующих неравнодушны не только к драконам и пистолетам, но и к древнегреческой мифологии. Сегодня компания G.Skill объявила о выходе линейки оперативной памяти Aegis стандарта DIMM DDR3, названной в честь эгиды – щита верховного бога Зевса. Серия выделяется оригинальным рисунком на пластинах-радиаторах и представлена модулями и двухканальными комплектами ОЗУ с эффективной частотой 1333 и 1600 МГц.

Планки работают при напряжении 1,35 и 1,5 В, их объем составляет 4 и 8 ГБ, формулы задержек – 9-9-9-24 и 11-11-11-28. Ниже приведены краткие характеристики каждого из 12 наборов:

Aegis F3-1333C9D-16GIS: DDR3-1333, объем 16 ГБ (2x 8 ГБ), тайминги 9-9-9-24, напряжение 1,5 В;

Aegis F3-1333C9D-16GISL: DDR3L-1333, 16 ГБ (2x 8 ГБ), CL9-9-9-24, 1,35 В;

Aegis F3-1600C11D-16GIS: DDR3-1600, 16 ГБ (2x 8 ГБ), CL11-11-11-28, 1,5 В;

Aegis F3-1600C11D-16GISL: DDR3L-1600, 16 ГБ (2x 8 ГБ), CL11-11-11-28, 1,35 В;

Aegis F3-1333C9D-8GIS: DDR3-1333, 8 ГБ (2x 4 ГБ), CL9-9-9-24, 1,5 В;

Aegis F3-1333C9D-8GISL: DDR3L-1333, 8 ГБ (2x 4 ГБ), CL9-9-9-24, 1,35 В;

Aegis F3-1333C9S-8GIS: DDR3-1333, модуль 8 ГБ, CL9-9-9-24, 1,5 В;

Aegis F3-1600C11D-8GIS: DDR3-1600, 8 ГБ (2x 4 ГБ), CL11-11-11-28, 1,5 В;

Aegis F3-1600C11D-8GISL: DDR3L-1600, 8 ГБ (2x 4 ГБ), CL11-11-11-28, 1,35 В;

Aegis F3-1600C11S-8GIS: DDR3-1600, модуль 8 ГБ, CL11-11-11-28, 1,5 В;

Aegis F3-1333C9S-4GIS: DDR3-1333, модуль 4 ГБ, CL9-9-9-24, 1,5 В;

Aegis F3-1600C11S-4GIS: DDR3-1600, модуль 4 ГБ, CL11-11-11-28, 1,5 В. Все продукты серии G.Skill Aegis обеспечены пожизненной гарантией. (G.Skill/NovostIT)