Стартовал массовый выпуск 16-Гбит чипов DDR4 Micron в третьем поколении 10-нм техпроцесса

10

Компания Micron сообщила о старте массового производства микросхем памяти DDR4 объёмом 16 Гбит с использованием третьего поколения техпроцесса класса 10 нм (1z). Предполагается, что это может быть техпроцесс с технологическими нормами 13 нм. В самой Micron эти данные не уточняют. Производством памяти DDR4 с использованием третьего поколения техпроцесса класса 10 нм может также похвастаться компания Samsung, но она пока освоила выпуск 8 Гбит чипов DDR4. Судя по всему, компания Micron располагает сегодня самыми плотными в индустрии микросхемами DDR4.

Стартовал массовый выпуск 16-Гбит чипов DDR4 Micron в третьем поколении 10-нм техпроцесса


Переход на более тонкие технологические нормы позволил поднять производительность памяти с одновременным снижением потребления. В Micron не раскрывают скорость обмена по каждому контакту шины данных для новой 16-Гбит памяти DDR4, но в версии LPDDR4X скорость составит до 4266 Мбит/с с одновременным снижением потребления на 10 % по сравнению с памятью предыдущего поколения на техпроцессе 1y. Потребление 16-Гбит чипов DDR4 в техпроцессе 1z будет на 40 % меньше, чем в случае потребления 8-Гбит чипов DDR4 в техпроцессе 1y. Памяти в устройствах станет больше, но греться она будет меньше.

Как вы уже поняли, с использованием третьего поколения техпроцесса класса 10 нм компания Micron начала также выпускать микросхемы LPDDR4X для смартфонов, что позволит вооружать мобильные аппараты бортовой памятью до 16 Гбайт. Позже с использованием техпроцесса 1z компания начнёт выпуск памяти GDDR6. Обновлённая память будет востребована среди прочего для систем с элементами искусственного интеллекта, в автопилотах машин, в устройствах с подключением к сетям 5G и в традиционной вычислительной технике.

Стартовал массовый выпуск 16-Гбит чипов DDR4 Micron в третьем поколении 10-нм техпроцесса

Для мобильных платформ с использованием кристаллов памяти поколения 1z Micron начала выпуск модулей uMCP4 с интерфейсом UFS. Вместе с флеш-памятью в таких однокорпусных сборках предлагается блок памяти LPDDR4X. Компания предлагает модули uMCP4 в конфигурациях от 64 Гбайт + 3 Гбайт до 256 Гбайт + 8 Гбайт. Уменьшение техпроцесса производства памяти и модулей потенциально способно как уменьшить габариты смартфонов, так и увеличить продолжительность автономной работы аппаратов.