США: Intel подтвердила подготовку SSD Intel Optane P4800X на 20-нм памяти 3D XPoint

6

Неделю назад мы рассказывали о подготовке компанией Intel первого серверного SSD-накопителя на памяти 3D XPoint – это 375-Гбайт модель в серии Optane P4800X. Вчера на сайте Intel нашлось официальное упоминание о данной модели и появилось подтверждение, что память 3D XPoint первой волны выпускается с использованием 20-нм технологических норм. К сожалению, сам документ на сайте Intel доступен только авторизованным пользователям, так что у нас нет оригинала. В данном случае нам остаётся доверять источнику – авторам немецкого сайта ComputerBase.de, а ему можно верить.

В общем, пока модель Optane P4800X ёмкостью 375 Гбайт действительно одна в линейке. Интересно другое – производство микросхем 3D XPoint с нормами 20 нм. Память 3D XPoint – это ячейки на основе вещества с изменяемым фазовым состоянием. По большому счёту её можно считать разновидностью памяти ReRAM, поскольку информация считывается с помощью измерения тока, проходящего через ячейку. Если вещество в ячейке находится в аморфном состоянии, ток через неё не течёт, а если в кристаллическом (с низким сопротивлением) – токи протекают. С другой стороны, память MRAM не называют ReRAM, хотя в ней тоже всё зависит от величины протекающего через туннельный переход тока.


Получается, что перспективные виды энергонезависимой памяти пока никто кроме Intel и Micron не выпускает с использованием столь передовых технологических норм, как 20 нм. В лучшем случае речь идёт о 40-нм техпроцессе. Даже память 3D NAND и та производится с техпроцессами 45-35 нм. Это говорит о том, что Intel и Micron создали хороший задел на направлении перехода к новым типам энергонезависимой памяти. Другое дело, что вряд ли они рискнут вложить в это направление так много, чтобы начать перекраивать рынок. Скорее всего, в ожидании 3D XPoint нам придётся запастись терпением. (Intel/NovostIT)