США: Intel планирует переход на 10-нанометровый техпроцесс в 2017 году

0

Компания Intel намерена приступить к массовому производству кремниевых кристаллов по технологии 10 нм в начале 2017 г. Изначально планировалось, что выпуск подобных чипов будет налажен в 2016-ом, однако по целому ряду причин старт перенесен на более поздний срок.

Неукоснительно следовать закону Мура на нынешнем этапе развития полупроводниковой промышленности становится очень непросто. Несмотря на технологическое лидерство Intel, следовать ранее определенной периодичности перехода на новый техпроцесс производства с каждой последующей итерацией все сложнее. Потому 14-нанометровый техпроцесс еще послужит до 2017 г. То есть фактически три года, вместо двух, номинально соответствующих заданной периодичности смены техпроцессов (тик-так).

Напомним, что 14-нанометровый техпроцесс используется для процессоров Intel Core M, а также чипов Broadwell. Экономичные версии мобильных CPU были представлены совсем недавно, более скоростные модели будут доступны чуть позже, а десктопные версии Broadwell-K появятся лишь летом нынешнего года. Последующие за Broadwell процессоры с архитектурой Skylake также будут производиться по 14-нанометровому техпроцессу. Сроки анонса пока довольно расплывчаты – вторая половина 2015 г. Очевидно, что в 2016 г. производитель будет наращивать объемы производств Skylake, расширяя ассортимент чипов для устройств различных сегментов. Процессоры Cannonlake, которые станут первыми чипами, изготовленными по нормам 10 нм, ожидаются в начале 2017 г.

Да, подобные временные оптимизации и отсрочки выхода новых продуктов – не повод для радости, однако необходимо учитывать реальные технологические проблемы, с которыми приходится сталкиваться производителям, когда речь идет о единицах нанометров. Напомним, что еще один из лидеров рынка микроэлектроники – компания Samsung, планирует начать выпуск чипов по 14-нанометровому техпроцессу во втором квартале нынешнего года, тогда как тайваньская TSMC с переменным успехом осваивает лишь нормы 16 нм. (Intel/NovostIT)