США: Broadcom анонсирует разработку 28-нм LTE-чипа

3

Сети LTE могут быть намного быстрее, чем они есть сейчас. Так, компания Broadcom анонсировала разработку своего 28-нм LTE-чипа, который будет не только меньше и энергоэффективнее аналогичных чипов предыдущего поколения, но также поможет увеличить скорость загрузки данных до 150 Мбит/с. Разработка Broadcom относится к LTE категории 4.


Первые устройства, в которых будет установлен новый чип, вряд ли появятся раньше конца нынешнего года. В настоящее время в сетях LTE оператора Verizon скорость загрузки не превышает 40 Мбит/с. Впрочем, появление нового чипа не будет автоматически означать резкое повышение скорости, без модернизации самих сетей это будет невозможно. Однако однозначно заявить о том, что впечатляющие характеристики чипа Broadcom являются всего лишь результатом хорошей работы маркетологов, было бы неправильно, так как энергоэффективность действительно улучшится. При отправке/получении данных в сотовых сетях будет затрачиваться примерно на 25% меньше энергии. А при передаче голоса в сетях LTE экономия составит 40% по сравнению с применяемой сегодня в США технологией WCDMA. (Broadcom/NovostIT)