В мобильных устройствах необходимо получить хорошее соотношение высокой производительности и эффективного отвода тепла, чего добиться без активного охлаждения довольно сложно, но всё же возможно, о чём сообщает SK hynix.
Обычно память в мобильных устройствах использует упаковку Package on Package, подразумевающую наложение нескольких микросхем DRAM друг на друга, но в таком случае отводить тепло с нижней микросхемы оказывается довольно сложно, из-за чего наблюдается перегрев и снижение производительности при выполнении сложных или длительных задач.
Компании удалось решить эту проблему при помощи эпоксидного формовочного компаунда High-K, применяемого для изготовления корпуса памяти. Новый материал подразумевает добавление оксида алюминия к кремнезёму, который по сей день используется в создании корпуса. Такой подход позволил повысить теплопроводность в три с половиной раза и снизить тепловое сопротивление при вертикальном распространении тепла на приличные 47%.
«Это значимое достижение, которое выходит за рамки простого повышения производительности, поскольку устраняет неудобства, с которыми могли сталкиваться многие пользователи высокопроизводительных смартфонов. Мы стремимся прочно утвердить наше технологическое лидерство на рынке мобильной DRAM следующего поколения с помощью наших технологических инноваций в материалах».
