В течение последних двух недель произошло два интересных события, каждое из которых, если верить южнокорейским источникам, могло или сможет повлиять на будущее мирового рынка компьютерной памяти. Во-первых, между Samsung и китайским регулятором NDRC подписан секретный договор о взаимопонимании, что связывают с давлением властей Китая на ведущего производителя памяти, точнее, с попыткой притормозить рост цен на память. Во-вторых, фактического главу корпорации Samsung — Ли Джэёна (Lee Jae-yong) — досрочно освободили из мест лишения свободы. После последнего события и двух дней не прошло, как руководство Samsung объявило о плане новых масштабных инвестиций в экономику Южной Кореи.
Как сообщает издание BusinessKorea, в городе Пхёнтэк (Pyeongtaek), где в июне прошлого года начал работать новый завод Samsung по выпуску 3D NAND, будут расширены мощности с прицелом на выпуск памяти типа DRAM. В эту площадку компания уже вложила порядка $14,4 млрд и планирует ещё вложить $12,6 млрд. Новые цеха, как ожидается, будут построены рядом с действующим производством, которое получило имя Line 1. Новые линии в Пхёнтэк получат название Line 2. Сумма инвестиций в Line 2 будет примерно такая же — порядка $27 млрд.
Местные источники рассматривают активизацию руководства Samsung как сигнал к более смелым действиям, чему поспособствовало освобождение фактического главы компании из заключения. Подобный уровень ответственности мог взять на себя только настоящий хозяин корпорации.
С другой стороны, Samsung стремится воспользоваться ситуацией, когда сверхприбыль от производства DRAM и NAND вкладывается в расширение выпуска этой продукции. Через год или два наступит перепроизводство, и цены начнут снижаться. К тому же, чем больше на рынке будет памяти Samsung (и других лидеров рынка), тем труднее будет развиться национальной китайской отрасли по выпуску памяти. В отдалённой перспективе Samsung надо опасаться не Micron и SK Hynix, а пока неизвестных на рынке китайских производителей памяти. К тому же Samsung научилась относительно быстро переключаться с выпуска DRAM на выпуск NAND и может гибко подстраиваться под требования рынка.
