В области полупроводникового производства тайваньская контрактная кузница TSMC заметно опережает своих конкурентов. Компания весьма радикально наращивала инвестиции, так что её передовой 7-нм процесс с использованием литографии в крайнем ультрафиолетовом диапазоне (EUV) сейчас находится в процессе массового производства.
Пока до начала серийной печати кристаллов с применением 5-нм норм остаётся несколько месяцев, основание следующего 3-нм техпроцесса у TSMC протекает гладко. На своём недавнем собрании для инвесторов и аналитиков исполнительный директор и сопредседатель TSMC Си Си Вэй (CC Wei) сказал, что исследования и разработки в области 3-нм норм проходят весьма успешно. Кроме того, ранние клиенты компании уже участвуют в разработке технических требований к новому техпроцессу, который призван ещё сильнее укрепить позиции компании.
В настоящее время 3-нм нормы TSMC всё ещё находятся на ранней стадии освоения. Компания не предоставила никаких технических деталей, а также показателей производительности и энергопотребления по отношению к существующим или 5-нм нормам. На данный момент компания только оценила все возможные виды структуры транзисторов для 3-нм техпроцесса. Кроме того, TSMC убеждена, что сможет подготовить спецификации, которые будут соответствовать всем требованиям ключевых клиентов.
Samsung ранее сообщала, что будет использовать транзисторную структуру MBCFET на основе наноструктурного затвора в своём 3-нм техпроцессе 3GAAE. Учитывая, что TSMC должна быть конкурентоспособна, переход на новый тип транзисторов неизбежен, как и использование новых материалов и так далее. Кроме того, в 5-нм техпроцессе TSMC используются 14 литографических слоёв EUV, которых наверняка будет ещё больше на 3-нм нормах, но, возможно, всё ещё будут использоваться слои с применение литографии в глубоком УФ-диапазоне (DUV). Ранее TSMC сообщала, что планирует начать массовое 3-нм производство в 2022 году.
