Мир: Производители смартфонов берут на вооружение микросхемы LPDDR4 объёмом 4 гигабайта

0

Компания Samsung ещё в конце прошлого года сообщила о начале массового производства микросхем памяти типа LPDDR4-3200 объёмом 4 гигабайта, которые позволяют получить соответствующий объём ОЗУ в смартфоне, задействовав всего одну микросхему. Во всяком случае, клиенты Samsung должны были получить первые микросхемы такой ёмкости в начале текущего года.

Конкурирующий производитель в лице SK Hynix не стал заблаговременно предвосхищать одноимённые действия, и на этой неделе сразу заявил, что его микросхемы LPDDR4-3200 с напряжением 1.1 В нашли применение в одной из флагманских моделей смартфонов, представленных недавно. В серийных смартфонах микросхемы памяти типа LPDDR4, по словам SK Hynix, до этого не устанавливались. Надо полагать, что речь идёт об изогнутом смартфоне LG G Flex 2, география поставок которого постепенно расширяется.

По словам представителей SK Hynix, использование 8-гигабитных микросхем памяти в смартфонах станет обыденным явлением во второй половине текущего года. По прогнозам IHS, в этом году доля смартфонов с 4 ГБ памяти достигнет 36% всех новинок, а в следующем году они начнут доминировать над моделями с 3 ГБ памяти. (SK Hynix/NovostIT)