По мнению организации International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), перспективным может оказаться производство полупроводников с использованием германия (Ge) или арсенида галлия (GaAs). Транзисторные каналы из этих материалов можно совместить с циклом обработки традиционных кремниевых подложек. Попросту говоря, изменятся только материалы, а не весь техпроцесс в целом. В планах ITRS значится, что полупроводники на основе германия или арсенида галлия появятся до 2028 г.
Как один из вариантов группой американских университетов разрабатывается транзисторный канал на основе сегнетоэлектриков. В частности, над FeFET транзистором (ferroelectric field-effect transistor) работает сотрудник Техасского Университета Александр Демков. Работы носят больше теоретический характер. Создаётся и изучается компьютерная модель транзистора. Впрочем, практическая сторона вопроса тоже прорабатывается. Разработчики начинают экспериментировать с таким материалом, как титанат бария (BaTiO3). Для повседневных продуктов этот материал не годится, так как для проявления нужного эффекта требуются температуры порядка 120 градусов по Цельсию. Но в качестве экспериментальной основы на первом этапе вполне подойдёт для изучения чувствительности материалов (ниже изображение модели для лабораторного изучения материалов).
Важной особенностью транзисторов с затворами из сегнетоэлектриков обещает стать не только возможность снижать нормы производства, но также эффект памяти, свойственный таким материалам. Это возможность не только продлить действие закона Мура, но также шанс создать универсальную энергонезависимую память, а также путь к мгновенно включающимся компьютерам. (Новости/NovostIT)