Вслед за компанией Samsung Electronics, вчера объявившей о начале массового производства микросхем памяти GDDR6, компания SK Hynix обновила свой каталог продукции, добавив в него микросхемы GDDR6, доступные для заказа. Проще говоря, производители видеокарт уже могут начинать закупки микросхем видеопамяти для ускорителей нового поколения.
SK Hynix предложит своим клиентам два вида микросхем объёмом по 8 Гбит (1 Гбайт) с маркировкой H56C8H24MJR-S0C и H56C8H24MJR-S2C. Между собой они отличаются лишь пропускной способностью: 10 или 12 Гбит/с на контакт в первом случае, и 12 или 14 Гбит/с – во втором. В обоих случаях, более низкая пропускная способность достигается при напряжении 1,25 В, а более высокая – при 1,35 В.
Отметим, что микросхемы Samsung обладают куда более высокими характеристиками: 16 Гбит со скоростью 18 Гбит/с на контакт при напряжении 1,35 В. А микросхемы SK Hynix по своим параметрам куда ближе памяти GDDR5X от Micron Technology, знакомые нам по видеокартам GeForce GTX 1080, GTX 1080 Ti и Titan Xp.