С четвёртого по шестое декабря в Сан-Франциско прошла ежегодная конференция IEEE International Electron Device Meeting (IEDM 2017). Одними из интригующих докладов стали выступления представителей компаний Intel и GlobalFoundries, каждый из которых был посвящён рассказу о новых техпроцессах. Представитель Intel поделился сведениями о 10-нм техпроцессе, представленном ещё в марте, а докладчик от GlobalFoundries чуть-чуть рассказал о 7-нм техпроцессе, который, кстати, компания разрабатывает сама, в отличие от лицензированного у Samsung 14-нм техпроцесса.
Компания Intel, как стало известно, впервые для слоёв металлизации и для сквозных металлизированных соединений будет использовать кобальт. Кобальт найдёт применение только в двух нижних слоях. Это хрупкий металл и раньше он рассматривался лишь как потенциальный диэлектрик. В случае 10-нм техпроцесса Intel использование кобальта от 5 до 10 раз улучшит положение дел с электромиграцией (с паразитным переносом вещества) и до 2 раз снизит сопротивление сквозных межслойных отверстий с металлизацией.
Компания GlobalFoundries, в свою очередь, сообщила о частичном использовании в технологическом цикле с нормами 7 нм сканера с длиной волны 13,5 нм — это так называемая EUV-литография, которая использует жёсткое ультрафиолетовое излучение. В общем случае GlobalFoundries опирается на традиционную оптическую иммерсионную литографию, но чисто в целях отработки применения EUV-сканеров решено несколько слоёв выполнять с их использованием.
Как и компания Intel, компания GlobalFoundries для изготовления транзисторов FinFET будет использовать проекцию из четырёх фотошаблонов или self-aligned quadruple patterning (SAQP). Но для изготовления слоёв металлизации GlobalFoundries задействует проекцию с двумя фотошаблонами, что будет выгодно отличаться от предложения Intel (что очевидно — это будет проще и дешевле). При этом в GlobalFoundries подчёркивают, что они не будут приносить в жертву плотность размещения элементов (плотность разводки обещают увеличить в 2,8 раз). Обе компании обещают, что новые техпроцессы позволят в два раза увеличить плотность размещения транзисторов по сравнению с предыдущими техпроцессами. Тем самым подчёркивается, что закон Мура продолжит свою работу.
Отдельно в GlobalFoundries сообщили, что переход с 14-нм техпроцесса на 7-нм обеспечит прирост производительности транзисторов до 40 % или даст возможность снизить потребление до 55 %. Оба техпроцесса — Intel и GlobalFoundries — также позволяют транзисторам работать с несколькими пороговыми напряжениями, что обеспечит широкий спектр режимов энергосбережения.
