В октябре прошлого года стало известно о разработчике “идеальной” резистивной памяти с произвольным доступом или ReRAM. Это молодая австралийская компания 4DS Memory Limited. Разработчики запатентовали фирменный переход 4DS ReRAM MOHJO (Metal Oxide Hetero Junction) и представляют разработку как ячейку с полностью переключаемым рабочим слоем или Interface Switching ReRAM. По мнению 4DS Memory, их ячейка существенно лучше ячеек памяти ReRAM на основе управляемого образования токопроводящих нитей из ионов серебра или других металлов. В частности, 4DS Memory регулярно подвергает критике разработку ReRAM компании Crossbar.
Нитевидные образования способствуют неоднородности пространственного сопротивления в ячейках, что ведёт к нестабильности характеристик массивов ReRAM. Нестабильность характеристик, в свою очередь, заставляет разрабатывать контроллеры со сложными алгоритмами коррекции ошибок. Понятно, что усложнение контроллера замедляет процесс доступа к данным, тогда как память ReRAM как раз позиционируется в качестве замены памяти DRAM. Скорость работы ReRAM лишь приближается к скорости работы DRAM, и увеличение ошибок чтения только отдаляет её от заветной цели.
Аргументы 4DS Memory выглядят убедительными. Но она уступает той же компании Crossbar в темпах приближения к коммерческой эксплуатации. Образцы ReRAM Crossbar достаточно давно с использованием 40-нм техпроцесса выпускает компания TSMC. Более того, образцы резистивной памяти Crossbar с использованием того же 40-нм техпроцесса уже поставляет китайский контрактный производитель компания SMIC (и даже планирует перевести производство на 28-нм техпроцесс). Компания 4DS Memory пока может похвастаться лишь лабораторными образцами памяти ReRAM с использованием 150-нм и 50-нм техпроцессов, а лабораторные техпроцессы очень сильно отличаются от внедрённых на производстве.
Помочь компании 4DS Memory с разработкой коммерческого техпроцесса для производства фирменной ReRAM взялся бельгийский исследовательский центр IMEC. У компании 4DS Memory есть структура ячейки, разработанная для 40-нм техпроцесса, но её необходимо адаптировать для выпуска на действующем оборудовании и с использованием привычного сырья. Центр IMEC адаптирует свой CMOS-техпроцесс применительно к выпуску ReRAM 4DS на 300-мм кремниевых пластинах и разработает структуру и разводку металлических слоёв памяти (BEOL, backend-of-line). Ожидается, что это позволит выпускать ReRAM ёмкостью 1 Мбит. Для опытных экземпляров этого достаточно, чтобы подтвердить характеристики, но для коммерческого запуска выглядит не очень убедительно.
