GlobalFoundries рассказала об особенностях внедрения EUV-литографии

0

Давно известно, что GlobalFoundries минует освоение 10-нм технологии, и сразу возьмётся за 7-нм техпроцесс, и он же станет для компании “полигоном” для “частичного внедрения” так называемой EUV-литографии. Коллеги с сайта ExtremeTech посетили американское предприятие GlobalFoundries, чтобы поведать о ближайших планах компании, и тема освоения литографии со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением стала одной из главных в повествовании.

Как выяснилось, внедрению EUV-литографии в массовом производстве сейчас препятствует не только дефицит оборудования, но и определённые технологические сложности. Например, прозрачная плёнка для защиты фотомаски от инородных вкраплений поглощает заметную часть ультрафиолетового излучения – проходит не более 77%. GlobalFoundries сейчас занимается поиском материала для изготовления защитной плёнки, который позволил бы применять её в условиях массового производства с экономически оправданными затратами. Требования к материалу таковы – он должен пропускать не менее 88% ультрафиолетового излучения, и позволять работать с источниками мощностью до 250 Вт.


Наличие подобных трудностей вынуждает GlobalFoundries начинать использование EUV-литографии на простейших элементах, что доступно уже при нынешнем уровне развития технологий. Как только будет найден подходящий материал для изготовления плёнки, сфера применения EUV-литографии будет расширена. Скорее всего, это случится в рамках жизненного цикла 7-нм техпроцесса, но уже во втором его поколении.

GlobalFoundries самостоятельно осваивает 7-нм технологию, в отличие от 14-нм техпроцесса, который был внедрён при активной поддержке Samsung. По сравнению с этой литографической технологией, новый 7-нм техпроцесс позволит поднять быстродействие транзисторов на 40% при неизменном энергопотреблении, либо снизить энергопотребление на 60% при неизменной производительности.

Как известно, AMD с апреля будет предлагать 12-нм процессоры Pinnacle Ridge. По сути, они будут выпускаться по улучшенной версии 14-нм техпроцесса, который назван “12-нм” преимущественно для маркетинговых целей. Обещан прирост быстродействия на 10%, либо повышение плотности размещения транзисторов на 15%. Поскольку вторая возможность меньше интересует AMD, выбор наверняка будет сделан в пользу прироста быстродействия транзисторов.